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1 ИС со степенью интеграции 10^9 элементов на кристалле
Electronics: gigascale integrationУниверсальный русско-английский словарь > ИС со степенью интеграции 10^9 элементов на кристалле
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gigascale integration — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Integration mit 10⁹ Funktionselementen — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
intégration à gigaéchelle — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
milijardinė integracija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
George M. Low Center for Industrial Innovation — The George M. Low Center for Industrial Innovation, otherwise known as the Low Center or CII, is a major industry funded research center at Rensselaer Polytechnic Institute. HistoryThe center is named after George M. Low, who was an important… … Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
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